阿斯麥向英特爾運送全球首臺新型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)。

連日來，與尖端半導(dǎo)體制造有關(guān)的消息不斷傳出?！度毡窘?jīng)濟(jì)新聞》25日報道稱，日本佳能公司的納米壓印技術(shù)有望制造2納米半導(dǎo)體。當(dāng)?shù)貢r間21日，全球最大光刻機(jī)制造商荷蘭阿斯麥向美國英特爾公司運送全球首臺新型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High NA EUV）。圍繞尖端芯片制造設(shè)備的爭奪戰(zhàn)正式開始，全球芯片制造商間的激烈競爭又添新變量。

2納米制造設(shè)備來了

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報道，佳能半導(dǎo)體機(jī)器業(yè)務(wù)部長巖本和德介紹了一種搭載自主“納米壓印”技術(shù)的設(shè)備，有望可以制造2納米半導(dǎo)體。報道稱，與利用強(qiáng)光在晶圓上燒刻電路不同，納米壓印可以像印章一樣壓印原版，由于其低成本和低耗電量的特性，“備受半導(dǎo)體廠商期待”。

在此之前，阿斯麥在社交媒體平臺X上宣布，他們已向英特爾公司交付了首臺新型High NA EUV。英國路透社報道稱，高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)每臺成本超3億美元，體積比卡車還大，預(yù)計將從2026年或2027年起用于商業(yè)芯片制造，可以生產(chǎn)“更小、更快的半導(dǎo)體”。

半導(dǎo)體專家、CHIP奇譜科技總編羅國昭25日在接受《環(huán)球時報》記者采訪時表示，高數(shù)值孔徑是一個面向未來的技術(shù)，在光刻機(jī)的技術(shù)發(fā)展中非常關(guān)鍵。它突破了光刻機(jī)既有系統(tǒng)的技術(shù)限制，可在光刻機(jī)上實現(xiàn)2納米乃至更先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。這一技術(shù)的引入將硅基芯片的生命周期繼續(xù)延伸，此前業(yè)界普遍預(yù)計，硅基芯片將在2納米時代終結(jié)，更先進(jìn)芯片將轉(zhuǎn)向光子或碳基。這項技術(shù)將有效延長EUV（極紫外光刻）光源技術(shù)的生命周期，繼續(xù)降低刻蝕光波長的緊迫性，未來可依靠高數(shù)值孔徑技術(shù)，在現(xiàn)有光源技術(shù)上實現(xiàn)2納米制程及以上芯片的生產(chǎn)。

開搶關(guān)鍵機(jī)器

2納米芯片已成為全球芯片制造商的最新“戰(zhàn)場”。英特爾此前已表示將于2025年量產(chǎn)2納米芯片，最近又宣布將這一日程提前至2024年，三星預(yù)計2025年開始投產(chǎn)2納米芯片，臺積電預(yù)計也將在2025年開始量產(chǎn)2納米芯片。

羅國昭表示，隨著阿斯麥新款光刻機(jī)的推出，原本就激烈的“三方大戰(zhàn)”將變得更加撲朔迷離，畫面會更加“好玩兒”。路透社報道稱，英特爾2022年訂購了第一臺High NA EUV，臺積電、三星、SK海力士和美光等芯片制造商也都從阿斯麥處訂購了這款光刻機(jī)。

臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，臺積電、三星、英特爾在2納米先進(jìn)制程展開大比拼之際，新一波“搶關(guān)鍵機(jī)器大戰(zhàn)”同步開打。阿斯麥計劃明年先生產(chǎn)10臺High NA EUV，英特爾搶下6臺，暫時領(lǐng)先，三星正極力拉攏阿斯麥，這都給臺積電帶來壓力。

有分析認(rèn)為，阿斯麥推出這項新技術(shù)的目的是助力英特爾和臺積電等芯片制造商攻克2納米及以下節(jié)點的芯片制造技術(shù)，同時讓整個芯片行業(yè)保持對其高端光刻機(jī)的依賴。歐洲IT資訊網(wǎng)站分析稱，阿斯麥的High NA EUV是生產(chǎn)最先進(jìn)芯片的唯一選擇，英特爾作為第一個收到該光刻機(jī)的客戶，“終于可以夢想著再次擊敗競爭對手”。

半導(dǎo)體咨詢公司Semiconductor Advisors的分析師羅伯特·邁爾表示，納米壓印技術(shù)是芯片行業(yè)一直尋找的“不存在的替代品”，佳能在很多年前就已經(jīng)開始探索納米壓印技術(shù)，但從未真正獲得重大突破。討論比較多的、被認(rèn)為可以從阿斯麥“嘴里搶食”的定向自組裝（DSA）、納米壓印等技術(shù)目前也無法替代光刻。

“可以齊頭并進(jìn)的新起點”

羅國昭告訴記者，臺積電目前處于領(lǐng)先地位，3納米、4納米和5納米等先進(jìn)制程芯片在其營收中的收入占大頭，獨攬全球代工份額。因此，在引入阿斯麥最新光刻機(jī)這一問題上，臺積電實際上并不是最著急的。充分挖掘已有市場，再向2納米過渡才符合臺積電的利益最大化原則。

進(jìn)入10納米后，英特爾在技術(shù)制程上發(fā)展緩慢，臺積電在7納米、5納米上的突破迫使其提出了“四年五個制程節(jié)點”計劃。在近幾年連續(xù)突破Intel 7（10納米制程）、Intel 4（7納米制程）、Intel 3（4納米制程）后，Intel 20A和18A等后續(xù)技術(shù)推進(jìn)速度非?？臁Ａ_國昭表示，此次英特爾率先引入新機(jī)器，有利于其在2025年實現(xiàn)Intel 20A（等效2納米制程）芯片的商業(yè)化，從而在時點上趕上甚至超越臺積電。

不過也有業(yè)界分析師認(rèn)為，購買6臺High NA EUV的支出高達(dá)21億—24億美元，這對英特爾來說是一個非常大的賭注，如果不孤注一擲，英特爾將落后于臺積電。分析認(rèn)為，幸運的話，最好的情況是英特爾可與臺積電“平起平坐”。

歐洲科技網(wǎng)站Techzine報道稱，英特爾自己的產(chǎn)品本身就是一種極具吸引力的人工智能產(chǎn)品，而其與英偉達(dá)等公司簽訂的利潤豐厚的合同，將為英特爾“創(chuàng)造一個非常理想的局面”。

至于三星，羅國昭表示，該公司目前最大、也是最現(xiàn)實的問題并不在技術(shù)上，而是在獲得全球客戶的信任上——如何獲得一定的市場占有率、如何站穩(wěn)腳跟是三星的當(dāng)務(wù)之急。不過，阿斯麥新機(jī)器的出現(xiàn)為原本競爭激烈的這三家芯片制造商提供了一個看上去可以齊頭并進(jìn)的新起點，所有的競爭似乎可以在這個新平臺上“重新來過”。

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